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AON7405_001是一款由AOS制造的30V P沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高电流、高效率的开关应用而设计。

其核心电气特性表现为极低的导通电阻（典型值6.2mΩ @ 10V, 20A）与优化的栅极电荷（最大值51nC @ 10V），这共同确保了极低的传导损耗与出色的开关性能。器件在25°C环境温度下可连续通过25A电流，峰值电流能力更强，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，具备高可靠性。

这些参数使其成为空间受限且对效率要求苛刻的电源管理、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AON7405_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 25A/50A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：51nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2940pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.25W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
• AON7405_001，AOS产品一站式供应商。