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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4421是一款P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装，由AOS公司制造。其核心电气参数定义了出色的性能表现：60V的漏源电压和6.2A的连续漏极电流能力，使其能够应对中高功率的开关应用。
该器件的关键优势在于其极低的功率损耗。在10V Vgs驱动下，其导通电阻最大值低至40毫欧，配合仅55nC的栅极电荷，实现了高效率与快速开关速度的平衡。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和±20V的栅源电压耐受能力，进一步确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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