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AO4496_101是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，在25°C下可连续通过10A电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和10A Id条件下最大值仅为19.5毫欧，能显著降低功率损耗。

器件具备优异的开关特性，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大2.5V，栅极总电荷（Qg）最大13nC，易于驱动且开关速度快。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了高温环境下的稳定运行。这些特性使其成为高效率DC-DC转换、电机驱动和负载开关等应用的理想解决方案。

• 制造商产品型号：AO4496_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：19.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：715pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• AO4496_101，AOS产品一站式供应商。