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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4496_101是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，在25°C下可连续通过10A电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和10A Id条件下最大值仅为19.5毫欧，能显著降低功率损耗。
器件具备优异的开关特性，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大2.5V，栅极总电荷（Qg）最大13nC，易于驱动且开关速度快。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了高温环境下的稳定运行。这些特性使其成为高效率DC-DC转换、电机驱动和负载开关等应用的理想解决方案。
基本参数：
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