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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONS36308 是一款采用 8-DFN-EP 封装的 N 沟道 MOSFET，由 AOS 制造。其核心优势在于在 30V 的漏源电压下，实现了高达 53A（Tc）的连续电流处理能力与极低的导通电阻（典型值 6.1 毫欧 @ 10V, 20A），这显著降低了功率传导损耗。
该器件具备优异的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）仅为 30nC，配合 2.2V 的阈值电压，确保了快速开关和高效的驱动兼容性。其增强型散热封装支持高达 26W（Tc）的功率耗散，工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，为高可靠性、高功率密度的应用提供了坚实的硬件基础。
基本参数：
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