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零件图片（仅供参考）
AON6314
规格参数

AON6314是AOS推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高电流、高效率应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.8mΩ @ 10V）与高达85A的连续漏极电流处理能力，能有效降低导通损耗，提升系统能效。

器件具备快速的开关特性，其低栅极电荷（最大20nC @ 4.5V）和输入电容有助于减少开关损耗与驱动需求。30V的漏源电压额定值与宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）确保了其在严苛环境下的可靠运行，适用于同步整流、电机驱动等高要求电源管理场景。

  • 制造商产品型号：AON6314
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：85A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.8 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：32.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6314
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6314的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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