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零件图片（仅供参考）
AOD4158
规格参数

AOD4158是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252表面贴装封装。该器件核心优势在于其优异的导通性能与电流处理能力，其漏源电压(Vdss)为30V，在25°C结温下连续漏极电流(Id)高达46A。

其关键特性表现为极低的导通电阻，在Vgs=10V, Id=20A条件下，Rds(on)最大值仅为9毫欧，这能显著降低功率应用中的传导损耗。同时，其栅极电荷(Qg)最大值为18nC，有助于实现高效的开关操作。器件工作结温范围宽广，为-55°C至175°C，确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。

  • 制造商产品型号：AOD4158
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 17A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：46A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：32W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：-
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD4158
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 17A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD4158的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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