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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4803A是一款双P沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，采用8-SOIC封装。其核心优势在于集成了两个性能一致的MOSFET通道，每个通道均具备30V的漏源电压（Vdss）耐受能力和5A的连续电流（Id）处理能力。
该器件专为简化驱动电路而设计，其最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为2.5V，可直接由低压逻辑信号控制。在5A、10V条件下，其导通电阻（Rds(on)）低至46毫欧，配合仅11nC的最大栅极电荷（Qg），实现了低导通损耗与高开关效率的平衡，适用于对空间和能效有要求的紧凑型设计。
基本参数：
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