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AOB411L是一款采用TO-263封装的P沟道功率MOSFET，由AOS制造。其核心电气参数定义了高性能开关特性：60V的漏源电压（Vdss）提供了中压应用的稳健基础，而低至16.5毫欧（@10V，20A）的导通电阻（Rds(on)）确保了优异的传导效率，显著降低功率损耗。

该器件在壳温（Tc）条件下支持高达78A的连续漏极电流，并具备187W的最大功率耗散能力，结合TO-263封装出色的热性能，适合高功率密度设计。其栅极驱动优化，阈值电压最大2.5V，栅极电荷仅100nC（@10V），便于快速开关并简化驱动电路。宽工作结温范围（-55°C至175°C）使其能满足工业及汽车应用的严苛环境要求。

• 型号:AOB411L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 8A/78A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta），78A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），187W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB411L，AOS产品一站式供应商。