AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AOB411L及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB411L是一款采用TO-263封装的P沟道功率MOSFET，由AOS制造。其核心电气参数定义了高性能开关特性：60V的漏源电压（Vdss）提供了中压应用的稳健基础，而低至16.5毫欧（@10V，20A）的导通电阻（Rds(on)）确保了优异的传导效率，显著降低功率损耗。
该器件在壳温（Tc）条件下支持高达78A的连续漏极电流，并具备187W的最大功率耗散能力，结合TO-263封装出色的热性能，适合高功率密度设计。其栅极驱动优化，阈值电压最大2.5V，栅极电荷仅100nC（@10V），便于快速开关并简化驱动电路。宽工作结温范围（-55°C至175°C）使其能满足工业及汽车应用的严苛环境要求。
基本参数：
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询