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AOSD62666E是AOS公司生产的一款有源、表面贴装型双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-SOIC封装。该器件专为高效率功率管理设计，其核心参数包括60V的漏源电压(Vdss)和9.5A的连续漏极电流(Id)，提供了稳健的功率处理能力。

其关键优势在于优异的开关与导通性能。作为逻辑电平门器件，其最大栅极阈值电压仅2.2V，兼容低压微控制器直接驱动。在10V Vgs、9.5A Id条件下，导通电阻低至14.5毫欧，有效降低了传导损耗。同时，其栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数经过优化，确保了快速开关特性和较低的驱动损耗，适用于高频应用场景。

• 型号:AOSD62666E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:755pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AOSD62666E，AOS产品一站式供应商。