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零件图片（仅供参考）
AOD2908
规格参数

AOD2908是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心规格包括100V的漏源电压（Vdss）额定值，以及在管壳温度（Tc）下高达52A的连续漏极电流处理能力，适用于要求较高电流的中等功率应用。

该器件的关键优势在于其低导通特性，在10V Vgs、20A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为13.5毫欧，能显著降低传导损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）为27nC，有助于实现快速的开关切换，优化整体能效。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。

  • 制造商产品型号：AOD2908
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 9A/52A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），52A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13.5 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：27nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1670pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），75W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD2908
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 9A/52A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD2908的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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