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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOE6932是AOS公司推出的一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-VDFN表面贴装封装。该器件集成了两个非对称的MOSFET，漏源电压（Vdss）为30V，在25°C壳温下可分别支持55A和85A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。
其核心优势在于极低的导通损耗，两个MOSFET在10V Vgs下的导通电阻（RDS(on)）典型值分别仅为5毫欧和1.4毫欧。同时，优化的栅极电荷（最大15nC和50nC @ 4.5V）有助于实现高效率的快速开关。这些特性使其特别适用于高功率密度、高效率的同步降压转换器、服务器电源和电机驱动等应用。
基本参数：
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