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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4476AL_101 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-SOIC封装,专为要求高效率和高功率密度的低压应用而设计。其核心优势在于30V的漏源电压和高达15A的连续漏极电流承载能力,结合极低的导通电阻(典型值7.7mΩ @ 10V),能显著降低传导损耗,提升系统能效。
该器件具备优异的开关特性,低至24nC的栅极电荷有助于实现快速开关并降低驱动损耗,而2.5V的最大栅极阈值电压则确保了与低压逻辑电路的兼容性。其宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)和表面贴装形式,使其能够可靠地集成于各种紧凑、高性能的电源管理、电机控制和负载开关电路中。

基本参数:
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