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AOD2610E是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装。该器件核心规格为60V漏源电压（V_DSS）和46A连续漏极电流（I_D），这使其能够在中等电压平台上处理显著的功率流，适用于高电流开关应用。

其设计侧重于实现低导通损耗与良好的开关性能。优化的内部结构旨在降低导通电阻，从而提升效率并减少发热。同时，封装形式兼顾了安装便利性与散热需求，适合在空间受限且对热管理有要求的电源电路板设计中集成。

• 型号:AOD2610E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 46A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Ta）， 46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta）， 59.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD2610E，AOS产品一站式供应商。