AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF11C60 是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。
该器件的突出优势在于其优异的导通特性，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为400毫欧，配合最大42nC的栅极电荷（Qg），实现了低导通损耗与快速开关性能的良好平衡。其宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C）和28W（Tc）的功率耗散能力，进一步确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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