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零件图片（仅供参考）
AO4932
规格参数

AO4932是AOS公司基于SRFET技术制造的一款双N沟道MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装内。该器件专为高效率功率转换设计，其关键参数包括30V的漏源电压、高达11A/8A的连续漏极电流，以及在10V Vgs下仅12.5毫欧的低导通电阻，这直接优化了导通损耗。

作为逻辑电平门器件，其最大栅极阈值电压为2.1V，兼容3.3V/5V逻辑驱动，简化了电路设计。同时，24nC的低栅极电荷与1400pF的输入电容共同保障了快速的开关性能，适用于高频开关应用。其工作结温范围为-55°C至150°C，采用表面贴装形式，适合空间紧凑、要求高可靠性的电源管理场景。

  • 制造商产品型号：AO4932
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A/8A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：SRFET
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A，8A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.5 毫欧 @ 11A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 15V
  • 功率-最大值：2W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4932
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 11A/8A 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AO4932的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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