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AO4932是AOS公司基于SRFET技术制造的一款双N沟道MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装内。该器件专为高效率功率转换设计，其关键参数包括30V的漏源电压、高达11A/8A的连续漏极电流，以及在10V Vgs下仅12.5毫欧的低导通电阻，这直接优化了导通损耗。

作为逻辑电平门器件，其最大栅极阈值电压为2.1V，兼容3.3V/5V逻辑驱动，简化了电路设计。同时，24nC的低栅极电荷与1400pF的输入电容共同保障了快速的开关性能，适用于高频开关应用。其工作结温范围为-55°C至150°C，采用表面贴装形式，适合空间紧凑、要求高可靠性的电源管理场景。

• 型号:AO4932
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A/8A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A，8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12.5 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO4932，AOS产品一站式供应商。