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AO3480是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，在紧凑的尺寸内提供了卓越的功率处理性能。其核心优势在于高达5.7A的连续漏极电流和低至26.5毫欧（最大值，@10V Vgs）的导通电阻，这确保了在开关和线性调节应用中能够实现极低的功率损耗和较高的整体效率。

该器件设计兼容低电压逻辑，栅极阈值电压低，标准驱动电压为2.5V至10V，可直接由微控制器或逻辑IC驱动，简化了电路设计。同时，其低栅极电荷和输入电容特性支持快速的开关频率，适用于高频DC-DC转换等场景。其30V的漏源电压额定值和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）使其能够在多种严苛的电子环境中稳定可靠地工作。

• 型号:AO3480
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26.5 毫欧 @ 5.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3480，AOS产品一站式供应商。