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AO3407A是一款采用SOT-23-3L封装的P沟道MOSFET，由AOS制造。其核心电气参数定义了其在紧凑空间内的高性能表现：30V的漏源电压（Vdss）确保了足够的耐压裕度，而4.3A的连续漏极电流（Id）能力结合低至48毫欧（@10V Vgs）的导通电阻，使其能够高效处理中等功率负载，显著减少导通损耗。

该器件在4.5V至10V的栅极驱动电压下性能最优，阈值电压最大3V，使其能很好地兼容3.3V/5V逻辑电平，简化驱动设计。其栅极电荷（Qg）最大16nC，有助于实现快速的开关速度。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和1.4W的功耗能力，保证了其在各种环境下的稳定性和可靠性，适用于空间受限的高效率电源管理和开关电路。

• 型号:AO3407A
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:830 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3407A，AOS产品一站式供应商。