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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB470L是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。其核心电气特性包括75V的漏源电压（Vdss），以及在10V Vgs、30A Id条件下低至10.2毫欧的典型导通电阻（Rds(On)），这有效降低了导通损耗。
该器件具备优异的电流处理能力，在25°C环境温度下连续漏极电流为10A，在结温（Tc）条件下可达100A。其最大栅极电荷（Qg）为136nC @ 10V，有助于实现高效的开关性能。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和高达268W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。
基本参数：
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