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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4494H是一款采用8-SO封装的N沟道功率MOSFET，其核心特性包括30V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下18A的连续漏极电流能力。该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为6.5毫欧，有助于显著降低功率应用中的传导损耗。
其栅极驱动电压范围覆盖4.5V至10V，最大栅极阈值电压为2.5V，确保了与常见逻辑电平的兼容性。动态参数方面，最大栅极电荷（Qg）为36nC @ 10V，支持±20V的栅源电压，工作结温范围为-55°C至150°C。这些参数使其成为中低压、中电流开关应用的合适选择，但需注意该产品目前已停产。
基本参数：
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