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AO4494H是一款采用8-SO封装的N沟道功率MOSFET，其核心特性包括30V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下18A的连续漏极电流能力。该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为6.5毫欧，有助于显著降低功率应用中的传导损耗。

其栅极驱动电压范围覆盖4.5V至10V，最大栅极阈值电压为2.5V，确保了与常见逻辑电平的兼容性。动态参数方面，最大栅极电荷（Qg）为36nC @ 10V，支持±20V的栅源电压，工作结温范围为-55°C至150°C。这些参数使其成为中低压、中电流开关应用的合适选择，但需注意该产品目前已停产。

• 制造商产品型号：AO4494H
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：36nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• AO4494H，AOS产品一站式供应商。