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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB298L 是一款由 AOS 制造的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心电气参数针对高效功率开关应用进行了优化，具备 100V 的漏源电压（Vdss）和极低的导通电阻（Rds(on) 最大 14.5mΩ @ 10V, 20A），能显著降低导通损耗。
该器件同时拥有较低的栅极电荷（Qg 最大 27nC @ 10V），有利于实现高速开关并减少驱动损耗。其强大的电流处理能力（连续漏极电流 Id 壳温条件下达 58A）和出色的热性能（最大功率耗散 100W @ Tc），结合 -55°C 至 175°C 的宽工作结温范围，确保了在高功率密度和严苛环境应用中的可靠性与稳定性。
基本参数：
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