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AOI600A70是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，其核心特性包括700V的漏源电压（Vdss）和8.5A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件在性能上实现了关键参数的优化平衡，其导通电阻（Rds(on)）低至600毫欧（@10V, 2.5A），有效降低了传导损耗。同时，栅极电荷（Qg）仅为15.5nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统整体效率。其采用TO-251A通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境下的可靠运行。

• 型号:AOI600A70
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251A
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI600A70，AOS产品一站式供应商。