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零件图片（仅供参考）
AOT20C60PL
规格参数

AOT20C60PL 是 AOS 公司生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220 通孔封装。该器件核心参数包括 600V 的漏源电压 (Vdss) 和 20A 的连续漏极电流 (Id)，使其能够胜任高压、大电流的开关任务。

其关键优势在于优异的导通特性，在 10V 栅极驱动下导通电阻 (Rds(on)) 低至 260 毫欧，有效降低了导通损耗。同时，80nC 的栅极电荷 (Qg) 有助于实现快速的开关切换，提升系统频率与效率。器件工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。

  • 制造商产品型号：AOT20C60PL
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO220
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：260 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：80nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3607pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：463W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOT20C60PL
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 20A TO220
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOT20C60PL的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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