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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON5802B是AOS推出的一款双N沟道逻辑电平MOSFET阵列，采用6-DFN表面贴装封装。该器件集成了两个共漏极配置的N沟道MOSFET，漏源电压（Vdss）为30V，在25°C下可支持高达7.2A的连续漏极电流。
其核心优势在于优异的导通性能与开关效率。在4.5V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至19毫欧（@7A），能有效降低传导损耗。同时，较低的栅极阈值电压（Vgs(th) ≤1.5V）和栅极电荷（Qg ≤24nC）使其易于被微控制器等低压逻辑电路直接驱动，并实现快速开关，适用于高频应用场景。
基本参数：
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