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AO4423L_102是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效能功率开关应用而设计。其核心优势在于30V的漏源电压（V_DSS）和高达15A的连续漏极电流承载能力，结合低至7毫欧（@20V V_GS）的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统效率。

该器件具备快速的开关特性，其栅极电荷（Q_g）典型值为98nC，有助于减少开关过程中的能量损失。宽泛的栅源电压耐受范围（±25V）和高达150°C的结温工作范围，确保了其在各种驱动条件和环境下的可靠性与鲁棒性。这些特性使其成为电源管理、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AO4423L_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 15A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：98nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5560pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4423L_102，AOS产品一站式供应商。