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AON6282 是一款由 AOS 制造的 N 沟道功率 MOSFET，采用 8-DFN 封装，专为高效功率转换设计。其核心优势在于80V 的漏源电压额定值下，实现了极低的导通电阻（5.6mΩ @ 10V），并具备高达 26.5A (Ta) / 85A (Tc) 的连续电流处理能力，能显著降低传导损耗并提升功率密度。

该器件具备优化的开关特性，最大栅极电荷为 51nC，有助于降低开关损耗并提升频率。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）和高达 83W (Tc) 的功率耗散能力，确保了其在严苛热环境下的可靠性与稳定性，适用于工业电源、通信设备及电机驱动等高要求应用。

• 型号:AON6282
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 26.5A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26.5A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2848 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.4W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6282，AOS产品一站式供应商。