AOTF10T60_001（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220F）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOTF10T60_001是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220F通孔封装。该器件核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）以及高达10A（Tc）的连续漏极电流，这使其具备了处理高压、中等电流负载的能力。

其设计侧重于在高压开关应用中实现可靠的性能，TO-220F封装有助于功率耗散，满足对散热有要求的场景。该器件适用于需要高压侧开关功能的功率电子系统，是其产品生命周期内针对特定中高压功率转换需求的一款解决方案。

制造商产品型号：AOTF10T60_001

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET N-CH 600V TO-220F

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：*

零件状态：停产

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：通孔

器件封装：TO-220F

AOTF10T60_001，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOTF10T60_001

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET N-CH 600V TO-220F

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOTF10T60_001的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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