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AOWF12N60是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下最大仅为550mΩ，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大50nC）和输入电容有助于实现快速开关，提升系统效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。

• 型号:AOWF12N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOWF12N60，AOS产品一站式供应商。