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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT474_002是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。其核心优势在于75V的漏源电压（Vdss）额定值以及极低的导通电阻（Rds(On)），在10V Vgs、30A Id条件下最大值仅为11.3毫欧，这显著降低了传导损耗，提升了能效。
该器件具备出色的电流处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达127A，并支持高达417W的功率耗散。其栅极电荷（Qg）最大值仅为60nC，有助于实现快速开关，减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性，适用于对效率和可靠性有较高要求的功率转换与开关控制应用。
基本参数：
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