我们为全球各个行业提供AOS AOT474_002现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOT474_002是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。其核心优势在于75V的漏源电压（Vdss）额定值以及极低的导通电阻（Rds(On)），在10V Vgs、30A Id条件下最大值仅为11.3毫欧，这显著降低了传导损耗，提升了能效。

该器件具备出色的电流处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达127A，并支持高达417W的功率耗散。其栅极电荷（Qg）最大值仅为60nC，有助于实现快速开关，减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性，适用于对效率和可靠性有较高要求的功率转换与开关控制应用。

• 制造商产品型号：AOT474_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 75V 9A/127A TO220-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：75V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），127A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.3 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3370pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），417W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3
• AOT474_002，AOS产品一站式供应商。