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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD421_001是AOS公司推出的一款采用表面贴装TO-252封装的P沟道功率MOSFET。该器件设计用于处理20V的漏源电压，并在25°C下支持高达12.5A的连续漏极电流，其核心优势在于较低的导通电阻（最大75mΩ @ 12.5A, 10V），这能有效减少功率损耗，提升整体能效。
该MOSFET具备快速的开关特性，其最大栅极电荷仅为4.6nC，有助于实现高效率的功率转换。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）与良好的热性能（壳温下最大功耗18.8W）确保了其在各种环境条件下的可靠性与稳定性，适用于要求紧凑布局和高性能的电源管理应用。
基本参数：
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