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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6404A_001是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs、20A Id条件下最大值仅为2.3mΩ,以及较低的栅极电荷(40nC @ 10V),这共同保障了高效率与低损耗的功率开关性能。
该器件额定电压为30V,具备强大的电流处理能力(Tc条件下达85A)和高达83W(Tc)的功率耗散能力。其宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C TJ)与±20V的栅源电压耐受性,确保了其在各种中低压功率管理应用中的稳定性和可靠性。

基本参数:

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