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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI380A60C是AOS公司基于aMOS5技术推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装。该器件核心优势在于其600V/11A的额定参数与低至380毫欧（@10V，5.5A）的导通电阻的出色结合，这显著降低了功率传导损耗。
此外，其20nC的低栅极电荷和955pF的输入电容确保了快速的开关特性，有助于减少开关损耗并提升整体系统效率。器件结温工作范围宽达-55°C至150°C，功率耗散能力为125W，为设计提供了充足的可靠性裕度。
这些特性使其成为适用于开关电源、PFC电路及电机控制等中高功率密度应用的理想选择，能够在提升能效的同时保证系统的长期稳定运行。
基本参数：
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