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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF3N100是一款N沟道高压功率MOSFET，其核心规格为1000V漏源电压（Vdss）和2.8A连续漏极电流（Id），封装于TO-220-3F中。该器件针对高效率开关应用进行了优化，其最大导通电阻为6欧姆（@10V, 1.5A），同时栅极总电荷（Qg）控制在20nC以内，有助于降低开关损耗，提升电源转换效率。
器件支持高达38W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。其±30V的栅源电压耐受能力和标准的通孔封装，使其成为工业级开关电源、PFC电路及各类离线式电源设计中高压侧功率开关的稳健选择。
基本参数：
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