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AONS66923是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaSGT产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，在紧凑的8-DFN-EP封装内实现了优异的电气特性。

其核心优势在于100V的漏源电压（V_dss）与极低的导通电阻（10.8mΩ @ 10V, 20A）相结合，确保了高效的功率传输和低导通损耗。同时，低至35nC的栅极电荷（Q_g）和2.6V的栅极阈值电压（V_GS(th)）使其具备快速开关能力，能有效降低高频应用中的开关损耗。该MOSFET在壳温（T_c）下支持高达47A的连续漏极电流和48W的功率耗散，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，为高功率密度和高可靠性应用提供了坚实的基础。

• 型号:AONS66923
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 15A/47A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），47A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1725 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AONS66923，AOS产品一站式供应商。