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零件图片(仅供参考)

规格参数
AONS66923是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于其高性能AlphaSGT产品系列。该器件采用先进的沟槽技术,在紧凑的8-DFN-EP封装内实现了优异的电气特性。
其核心优势在于100V的漏源电压(Vdss)与极低的导通电阻(10.8mΩ @ 10V, 20A)相结合,确保了高效的功率传输和低导通损耗。同时,低至35nC的栅极电荷(Qg)和2.6V的栅极阈值电压(VGS(th))使其具备快速开关能力,能有效降低高频应用中的开关损耗。该MOSFET在壳温(Tc)下支持高达47A的连续漏极电流和48W的功率耗散,工作温度范围覆盖-55°C至150°C,为高功率密度和高可靠性应用提供了坚实的基础。

基本参数:
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