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零件图片(仅供参考)
AONS66923
规格参数

AONS66923是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于其高性能AlphaSGT产品系列。该器件采用先进的沟槽技术,在紧凑的8-DFN-EP封装内实现了优异的电气特性。

其核心优势在于100V的漏源电压(Vdss极低的导通电阻(10.8mΩ @ 10V, 20A)相结合,确保了高效的功率传输和低导通损耗。同时,低至35nC的栅极电荷(Qg2.6V的栅极阈值电压(VGS(th)使其具备快速开关能力,能有效降低高频应用中的开关损耗。该MOSFET在壳温(Tc)下支持高达47A的连续漏极电流和48W的功率耗散,工作温度范围覆盖-55°C至150°C,为高功率密度和高可靠性应用提供了坚实的基础。

  • 制造商产品型号:AONS66923
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 15A/47A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:AlphaSGT
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):15A (Ta),47A (Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):35nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1725pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):5W(Ta),48W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN-EP(5x6)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AONS66923
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 15A/47A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AONS66923的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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