我们为全球各个行业提供AOS AOY526现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOY526是一款由AOS制造的N沟道MOSFET，采用TO-251B封装。其核心电气特性包括30V的漏源击穿电压（Vdss），以及在壳温（Tc）下高达50A的连续漏极电流处理能力，展现出强大的功率输出潜力。

该器件的关键性能优势在于其极低的导通损耗，在10V Vgs、20A Id条件下，导通电阻最大值仅为5毫欧。同时，其栅极电荷（Qg）低至33nC，支持快速开关，有助于提升系统整体效率。器件可在-55°C至175°C的结温范围内稳定工作，适用于要求严苛的工业与消费电子电源应用场景。

• 型号:AOY526
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251B
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 18A/50A TO251B
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251B
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOY526，AOS产品一站式供应商。