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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOY526是一款由AOS制造的N沟道MOSFET，采用TO-251B封装。其核心电气特性包括30V的漏源击穿电压（Vdss），以及在壳温（Tc）下高达50A的连续漏极电流处理能力，展现出强大的功率输出潜力。
该器件的关键性能优势在于其极低的导通损耗，在10V Vgs、20A Id条件下，导通电阻最大值仅为5毫欧。同时，其栅极电荷（Qg）低至33nC，支持快速开关，有助于提升系统整体效率。器件可在-55°C至175°C的结温范围内稳定工作，适用于要求严苛的工业与消费电子电源应用场景。
制造商产品型号：AOY526制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 18A/50A TO251B系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1550pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251BAOY526，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOY526
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 18A/50A TO251B
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOY526的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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