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AO4407A_102是一款30V、12A的P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在20V Vgs和12A Id条件下，Rds(On)最大值仅为11毫欧，能显著降低功率损耗和温升。

该器件具备39nC（@10V）的低栅极电荷和快速的开关特性，有助于提升开关电源效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并支持±25V的栅极电压，确保了在严苛环境下的应用可靠性和驱动安全性。

• 制造商产品型号：AO4407A_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 12A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：39nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2600pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4407A_102，AOS产品一站式供应商。