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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOV20S60是AOS公司aMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用4-DFN-EP（8x8）表面贴装封装。该器件核心特性包括600V的漏源击穿电压，以及在10V Vgs、10A Id条件下最大250毫欧的低导通电阻，有效降低了功率损耗。
其设计兼顾了开关性能与驱动简易性，最大栅极电荷仅为20nC，支持快速的开关切换。在壳温（Tc）条件下，器件可支持高达18A的连续漏极电流和278W的最大功率耗散，展现了封装优异的散热能力。这些参数使其成为适用于开关电源、电机驱动等中功率高频开关应用的可靠解决方案。
基本参数：
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