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零件图片（仅供参考）
AON6411
规格参数

AON6411 是AOS公司推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）紧凑封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V VGS、20A ID条件下典型值仅为2.1mΩ，能显著降低导通损耗，提升系统效率。

该器件具备20V的漏源电压额定值，并在25°C环境温度下支持高达47A的连续漏极电流，峰值电流能力更强。其栅极驱动兼容低压逻辑电平，开关特性优良，适用于高频率开关场景。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）确保了其在各种环境下的可靠性，是空间受限且要求高效率的电源管理方案的理想选择。

  • 制造商产品型号：AON6411
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：47A（Ta），85A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：330nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10290pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），156W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6411
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6411的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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