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AON2801是AOS推出的一款采用DFN2x2-6L超紧凑封装的双P沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的逻辑电平门MOSFET，每个通道具备20V的漏源电压和3A的连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（120mΩ @4.5V, 3A）与极低的栅极驱动需求（Vgs(th) ≤1V），确保了高效率与易驱动性。

其低至6.5nC的栅极电荷和700pF的输入电容，优化了开关性能，减少了开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与1.5W的功率耗散能力，使其能够适应各种严苛环境。这些特性使其成为空间受限、电池供电的便携式电子设备中，实现双路负载管理、电源切换及保护功能的理想选择。

• 型号:AON2801
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-WDFN 焊盘
• 供应商器件封装:6-DFN（2x2）
• AON2801，AOS产品一站式供应商。