AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON2801是AOS推出的一款采用DFN2x2-6L超紧凑封装的双P沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的逻辑电平门MOSFET，每个通道具备20V的漏源电压和3A的连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（120mΩ @4.5V, 3A）与极低的栅极驱动需求（Vgs(th) ≤1V），确保了高效率与易驱动性。
其低至6.5nC的栅极电荷和700pF的输入电容，优化了开关性能，减少了开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与1.5W的功率耗散能力，使其能够适应各种严苛环境。这些特性使其成为空间受限、电池供电的便携式电子设备中，实现双路负载管理、电源切换及保护功能的理想选择。
基本参数：
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