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AOSD32338C是一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立的MOSFET通道，每个通道在25°C下可支持6A的连续漏极电流，漏源电压额定值为30V，适用于主流低压电源系统。

其核心优势在于优异的导通与开关性能。导通电阻（Rds(on)）低至30毫欧（@10V，6A），能显著降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg(max)=6.3nC @10V）和输入电容确保了快速的开关响应，有利于提升系统效率。其2.4V的最大栅极阈值电压使其能直接兼容3.3V/5V逻辑电平，简化了驱动设计。

• 型号:AOSD32338C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AOSD32338C，AOS产品一站式供应商。