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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF10N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），提供了稳健的耐压和载流能力。
其技术亮点在于较低的导通电阻（Rds(on)典型值750mΩ @ 10V, 5A）与优化的开关特性（最大栅极电荷Qg仅为40nC），这有助于显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，最大功率耗散为50W，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性与耐久性。
基本参数：
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