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零件图片（仅供参考）
AO8804_100
规格参数

AO8804_100是AOS公司生产的一款双N沟道、逻辑电平MOSFET阵列，采用8-TSSOP表面贴装封装。该器件集成了两个共漏极配置的MOSFET，漏源电压(Vdss)为20V，专为空间紧凑的高密度设计而优化。

其核心电气特性突出，在10V Vgs和8A Id条件下，导通电阻(Rds(on))低至13毫欧，能有效降低导通损耗。同时，最大1V的栅极阈值电压使其可直接由3.3V或5V微控制器驱动，简化了系统设计。此外，最大17.9nC的栅极电荷(Qg)有助于实现快速的开关速度，适用于高效率的功率开关应用。

  • 制造商产品型号：AO8804_100
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N 沟道（双）共漏
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17.9nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1810pF @ 10V
  • 功率-最大值：1.5W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO8804_100
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 20V
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AO8804_100的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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