
我们为全球各个行业提供AOS AO4466_102及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4466_102是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-SO表面贴装封装。其核心电气参数定义了其在功率开关应用中的优势:30V的漏源电压(Vdss)与10A(Ta)的连续漏极电流(Id)额定值,提供了稳健的电压和电流处理能力。
该器件的关键性能指标在于其低导通特性,在10V Vgs驱动下,导通电阻(Rds(on))最大值仅为23毫欧@10A,这直接转化为高效率与低热耗散。同时,其最大栅极电荷(Qg)低至8.6nC @10V,有利于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为空间受限且对效率有要求的DC-DC转换、电机控制和负载管理等应用的理想选择。

基本参数:
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号


AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询






