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AON6586是一款30V N沟道MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效率功率开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下最大仅为7.5毫欧，配合30nC的低栅极电荷，有效降低了传导与开关损耗。

该器件在壳温下可支持高达35A的连续电流，功耗最大41W，工作结温范围宽至-55°C至150°C，确保了高功率密度下的可靠性与热性能。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机控制等应用的理想选择。

• 型号:AON6586
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 20A/35A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1150 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6586，AOS产品一站式供应商。