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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6586是一款30V N沟道MOSFET,采用8-DFN封装,专为高效率功率开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs和20A Id条件下最大仅为7.5毫欧,配合30nC的低栅极电荷,有效降低了传导与开关损耗。
该器件在壳温下可支持高达35A的连续电流,功耗最大41W,工作结温范围宽至-55°C至150°C,确保了高功率密度下的可靠性与热性能。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机控制等应用的理想选择。

基本参数:

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