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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONS36314是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP表面贴装封装。其核心卖点在于极低的导通电阻（2.9mΩ @ 20A, 10V）与高电流处理能力（连续漏极电流高达85A @ Tc），能显著降低传导损耗，提升系统效率。
该器件具备优异的开关特性，栅极电荷（Qg）低至40nC，支持高频开关操作。其额定漏源电压为30V，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并拥有42W（Tc）的强散热能力，确保了在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。
基本参数：
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