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零件图片(仅供参考)
AOTF12N50_001
规格参数

AOTF12N50_001是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用标准的TO-220封装。该器件基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术,设计用于需要高电压处理能力的开关应用。

其核心卖点在于作为高压开关元件的可靠性。TO-220封装提供了坚固的物理结构和良好的散热路径,有助于在功率耗散时维持器件温度。虽然具体电气参数如连续漏极电流、导通电阻及栅极驱动特性需查阅完整数据手册,但此类器件通常致力于在高压条件下实现较低的导通损耗和稳健的开关性能。该产品目前已标记为停产状态,适用于既有系统的维护或对器件有长期验证要求的特定设计场合。

  • 制造商产品型号:AOTF12N50_001
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH TO220
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 器件封装:-
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOTF12N50_001
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH TO220
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF12N50_001的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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