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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO6402A是一款由AOS制造的N沟道MOSFET,采用6-TSOP表面贴装封装。其核心优势在于优异的效率与开关性能平衡,在30V漏源电压和7.5A连续漏极电流的额定规格下,实现了低至27毫欧@10V的导通电阻和仅17nC的栅极电荷。
这些参数直接转化为更低的传导损耗与开关损耗,使其特别适用于高频开关电源应用。器件支持4.5V至10V的驱动电压范围,兼容逻辑电平驱动,工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。

基本参数:
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