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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON2803是AOS推出的一款采用6-DFN封装的双P沟道MOSFET阵列。该器件专为高效、紧凑的功率开关应用而设计,其核心优势在于逻辑电平门驱动与优异的电气性能组合。
器件在4.5V栅极驱动下,导通电阻低至70毫欧(最大值),可支持高达3.8A的连续漏极电流,同时具备仅1V的低栅极阈值电压,确保与低压微控制器的直接兼容性。其12nC的低栅极电荷和560pF的输入电容优化了开关速度与损耗。20V的漏源电压和-55°C至150°C的宽工作结温范围,使其成为便携式电子设备、电源管理和低压电机控制等应用的可靠选择。

基本参数:
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