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零件图片(仅供参考)
AOI4184
规格参数

AOI4184是一款由AOS制造的N沟道MOSFET,采用TO-251A通孔封装,专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于40V的漏源电压(Vdss)额定值,以及极低的导通电阻(典型8mΩ @10V, 20A)和栅极电荷(最大33nC @10V),这共同确保了在开关和传导过程中具有卓越的能效表现。

该器件提供高达12A(Ta)/50A(Tc)的连续漏极电流处理能力,并支持-55°C至175°C的宽结温工作范围,具备强大的鲁棒性。其4.5V至10V的标准驱动电压范围,与2.6V的最大栅极阈值电压,使其易于被常见的逻辑电平电路驱动,简化了系统设计。这些特性使其成为DC-DC转换、电机控制和电源分配等应用的可靠解决方案。

  • 制造商产品型号:AOI4184
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO251A
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):33nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1800pF @ 20V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.3W(Ta),50W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-251A
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOI4184
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO251A
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOI4184的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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