AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON3816_101 是AOS公司推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-DFN紧凑型封装。该器件集成了两个逻辑电平门控的N沟道MOSFET，具备20V的漏源电压（Vdss）额定值，专为高效、空间受限的开关应用而设计。
其关键性能参数包括在4.5V Vgs下仅22毫欧的低导通电阻，以及最大1.1V的低栅极阈值电压，确保了与低压微控制器的直接兼容性。13nC的低栅极电荷有助于实现快速开关，降低开关损耗。这些特性共同使其在需要高密度功率切换的便携式电子设备电源管理中表现出色。
基本参数：
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