AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF12T60P是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心特性包括高达600V的漏源电压（Vdss）和12A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至520毫欧（@6A），有助于降低导通损耗，提升系统效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）为50nC，有利于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。这些参数共同使其适用于开关电源、电机控制及UPS等需要高效能功率管理的领域。
基本参数：
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